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SiC产业的新趋势:垂直整合是其中之一

浏览 时间 2024-03-15 作者 铸乐产品系列

  在近日半导体行业观察的韩国首家拥有SiC全产业链的厂商诞生的文章中,我们谈到了韩国SK集团通过收购,正式成为又一个控制了SiC全链条的公司。而根据咨询分析公司Yole的报道,这慢慢的变成了了SiC产业的一个重要趋势。

  Yole的化合物半导体团队宣布,到2027年,SiC器件市场将达到63亿美元。随着过去几年电动汽车的发展的新趋势,更长的续航能力是客户的主要需求之一。然而,这反过来又产生了对快速直流充电的需求,以减少充电站的等待时间。800 VEV是满足需求的解决方案,并于2021年开始渗透市场。

  Yole化合物半导体和新兴材料技术和市场分析师Poshun Chiu评论道。“SiC被认为是提供良好效率的推动因素,供应1200V器件是可行的。随着更多800V电动汽车的问世,预计SiC将迅速增加。同时,充电基础设施和光伏是支持电动汽车趋势的两个市场。需要更加多的充电器来支持一直增长的电动汽车数量,可再次生产的能源与电动汽车有着相同的二氧化碳零排放目标。这些是SiC获得更多动力的市场。”

  例如,包括STMicroelectronics、Wolfspeed、onsemi和InfineonTechnologies在内的公司宣布了他们的“十亿美元收入”目标。尽管每个参与者选择了不同的路径,但可以清楚地识别出它们之间商业模式的相似性。

  在IDM方面,他们的商业模式是领先厂商选择供应设备,尤其是电源模块的模式。这种商业模式代表了更高的美元价值来增加收入。

  STMicroelectronics是领先的SiC公司,因为他们的模块已在特斯拉Model3中使用多年。他们的活动不仅在设备级别;事实上,意法半导体在2021年展示了他们的内部8英寸SiC晶圆。

  另一家领先的SiC公司Onsemi在2021年迈出了重要的一步,收购了SiC晶圆供应商GTAdvanced Technologies。如今,Onsemi正致力于扩大其SiC晶圆产能。其目标是支持其迅速增加的SiC业务。

  谈到全球电力电子领域的领先公司,英飞凌科技在2021年的SiC器件业务实现了令人印象非常深刻的126%的增长,超过了57%的平均增长率。英飞凌科技开发的800V现代Ioniq5凭借其坚实的工业应用基础,将其推向了快车道。

  英飞凌科技股份公司碳化硅副总裁Peter Friedrichs博士表示:“碳化硅带来的效率优势与全球节约电能的努力完美匹配。不仅在太阳能转换或电动汽车充电等新兴和新应用中,而且在传统功率半导体应用中,采用率都会提高。我们不再需要宣传技术的好处;这些在业界非常有名,现在正转向智能实施的问题,从而带来长期的性价比优势。

  至于Wolfspeed,也表现出将其活动重点放在SiC业务上的决心。几年前,该企业决定进行重大重组,出售其LED业务并扩大其功率器件业务。凭借其在SiC晶圆上的领头羊,Wolfspeed现已对其8英寸晶圆厂进行了认证。该公司正在向前发展,并提高了增长速度。

  与此同时,ROHM在十年前收购SiCrystal后正在扩大器件和晶圆的产能,以进行垂直整合。II-VI通过展示符合汽车标准的1200V设备和与通用电气的扩展合作伙伴关系,分享了他们的长期观点。

  过去几年,这些主要参与者重塑了SiCECO。据Yole称,有两个主要趋势影响其供应链:晶圆制造和模块封装的垂直整合,以在未来几年获得更多收入。在此背景下,终端系统公司,例如汽车OEM,正在更快、更灵活地采用SiC,以管理与市场上多个晶圆供应商的供应。

  从技术发展的角度,提出了SiC晶圆的创新方法。截至2022年,SiC晶圆仍占SiC器件成本的主要部分。

  System Plus Consulting的技术和成本分析师Amine Allouche在2021年SiC晶体管比较报告中表示:“SiC原始晶圆成本占1200VSiC MOSFET外延晶圆成本的60%以上。尽管SiC晶圆产能一直在扩大,但在质量、产量和成本方面仍有很强的创新动力”。

  8英寸SiC晶圆被认为是扩大生产规模的关键步骤。目标显然是提高产量并在下一轮竞争中获得优势。主要IDM正在开发自己的8英寸SiC晶圆制造能力;截至2022年,一些晶圆供应商慢慢的开始出货样品。

  在Yole的功率SiC预测中,6英寸仍将是未来五年的领先平台。然而,2022年开始推出8英寸的初始量,并将被市场参与者视为战略资源。

  另一种方法是优化晶圆加工工艺,从而从单个SiC晶锭生产更多晶圆。DISCO等解决方案供应商已开发出激光切割系统以提高产量。英飞凌科技已经对他们的冷分流技术进行了认证。

  一些公司提出了“开箱即用”的想法,提出了非常不同的SiC晶圆制造方法。Soitec应用他们的SmartCut技术生产具有较低缺陷率的薄层的SiC晶圆和具有较低电阻率的处理晶圆。一家日本公司Sumitomo MetalMining计划在未来几年增加其工程化SiC晶圆。瑞典初创公司KISAB提供基于晶圆的方法来提供高质量的SiC晶圆。这些创新可能会在未来几年加速SiC的全球发展…

  在以EV应用为主的强劲市场中,未来5年具有数十亿美元的前景,预计SiC将进入慢慢的变多的应用领域。为实现这一目标,ECO的演变和创新是最需要我们来关注的因素。IDM是SiC的主要商业模式。此外,主要的SiC厂商正沿着供应链向模块级移动。战略是创造价值,与此同时,创新从未停止。因此,新进入者正在带来新的方法来提高规模、吞吐量、质量或成本。(半导体行业观察、yole)

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